SI1902DL-T1-E3

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SI1902DL-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6

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Spezifikationen

Series TrenchFET®
Part Status Obsolete
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Configuration 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 660mA
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Power - Max 270mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package SC-70-6
Base Product Number SI1902
Rds On (Max) @ Id, Vgs 385mOhm @ 660mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.2nC @ 4.5V

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