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SI3900DV-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
- HerstellerVishay Siliconix
- Fr. Teil #SI3900DV-T1-E3
- Paket SOT-23-6Thin,TSOT-23-6
- Datenblatt
- Auf Lager9123
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Spezifikationen
Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
Series | TrenchFET® |
ProductStatus | Active |
FETType | 2 N-Channel (Dual) |
FETFeature | Logic Level Gate |
DraintoSourceVoltage(Vdss) | 20V |
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 2A |
RdsOn(Max)@IdVgs | 125mOhm @ 2.4A, 4.5V |
Vgs(th)(Max)@Id | 1.5V @ 250µA |
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 4nC @ 4.5V |
Power-Max | 830mW |
OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
MountingType | Surface Mount |
Package/Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
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