SI5499DC-T1-E3

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SI5499DC-T1-E3

MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8 CHIPFET

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  • Fr. Teil #SI5499DC-T1-E3
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Spezifikationen

Supplier Vishay Siliconix
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series TrenchFET®
ProductStatus Obsolete
FETType P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 8 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 6A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 1.5V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs 36mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 800mV @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 35 nC @ 8 V
Vgs(Max) ±5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1290 pF @ 4 V
PowerDissipation(Max) 2.5W (Ta), 6.2W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage 1206-8 ChipFET™

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