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SI5504BDC-T1-E3

MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8

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Spezifikationen

Series	TrenchFET®
Part Status	Obsolete
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Configuration	N and P-Channel
FET Feature	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4A, 3.7A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	220pF @ 15V
Power - Max	3.12W, 3.1W
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-SMD, Flat Leads
Supplier Device Package	1206-8 ChipFET™
Base Product Number	SI5504
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7nC @ 10V

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