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SI5902BDC-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8

+BOM RFQ

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Spezifikationen

Package	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series	TrenchFET®
ProductStatus	Active
FETType	2 N-Channel (Dual)
FETFeature	Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)	30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	4A
RdsOn(Max)@IdVgs	65mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id	3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	7nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	220pF @ 15V
Power-Max	3.12W
OperatingTemperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType	Surface Mount
Package/Case	8-SMD, Flat Lead

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