SI7100DN-T1-GE3

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SI7100DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8

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  • Fr. Teil #SI7100DN-T1-GE3
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Spezifikationen

Supplier Vishay Siliconix
Package Tape & Reel (TR)
Series TrenchFET®
ProductStatus Obsolete
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 8 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 35A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 2.5V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs 3.5mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 105 nC @ 8 V
Vgs(Max) ±8V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 3810 pF @ 4 V
PowerDissipation(Max) 3.8W (Ta), 52W (Tc)
OperatingTemperature -50°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage PowerPAK® 1212-8

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