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SI7288DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
- HerstellerVishay Siliconix
- Fr. Teil #SI7288DP-T1-GE3
- Paket
- Datenblatt SI7288DP-T1-GE3 DataSheet
- Auf Lager5333
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Spezifikationen
Series | TrenchFET® |
Part Status | Active |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 565pF @ 20V |
Power - Max | 15.6W |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
Base Product Number | SI7288 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 10A, 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
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