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SI7980DP-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8

+BOM RFQ

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Spezifikationen

Package	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series	TrenchFET®
ProductStatus	Obsolete
FETType	2 N-Channel (Half Bridge)
FETFeature	Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss)	20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	8A
RdsOn(Max)@IdVgs	22mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id	2.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	27nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	1010pF @ 10V
Power-Max	19.8W, 21.9W
OperatingTemperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType	Surface Mount
Package/Case	PowerPAK® SO-8 Dual

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