SI8439DB-T1-E1

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SI8439DB-T1-E1

MOSFET P-CH 8V 4MICROFOOT

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  • Fr. Teil #SI8439DB-T1-E1
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Spezifikationen

Supplier Vishay Siliconix
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series TrenchFET®
ProductStatus Obsolete
FETType P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 8 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 5.9A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 1.2V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs 25mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 800mV @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 50 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±5V
PowerDissipation(Max) 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage 4-Microfoot

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