SI9926CDY-T1-GE3

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SI9926CDY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC

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Spezifikationen

Series TrenchFET®
Part Status Active
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Configuration 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 10V
Power - Max 3.1W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package 8-SOIC
Base Product Number SI9926
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 8.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V

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