SIA406DJ-T1-GE3

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SIA406DJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 12V 4.5A PPAK SC70-6

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  • Fr. Teil #SIA406DJ-T1-GE3
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Spezifikationen

Supplier Vishay Siliconix
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series TrenchFET®
ProductStatus Obsolete
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 12 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 4.5A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 1.8V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs 19.8mOhm @ 10.8A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 23 nC @ 5 V
Vgs(Max) ±8V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1380 pF @ 6 V
PowerDissipation(Max) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage PowerPAK® SC-70-6

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