SIB412DK-T1-GE3

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SIB412DK-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 9A PPAK SC75-6

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  • Fr. Teil #SIB412DK-T1-GE3
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Spezifikationen

Supplier Vishay Siliconix
Package Tape & Reel (TR)
Series TrenchFET®
ProductStatus Obsolete
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 9A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 1.8V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs 34mOhm @ 6.6A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 10.16 nC @ 5 V
Vgs(Max) ±8V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 535 pF @ 10 V
PowerDissipation(Max) 2.4W (Ta), 13W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage PowerPAK® SC-75-6

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