SIE816DF-T1-E3

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SIE816DF-T1-E3

MOSFET N-CH 60V 60A 10POLARPAK

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  • Fr. Teil #SIE816DF-T1-E3
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Spezifikationen

Supplier Vishay Siliconix
Package Tape & Reel (TR)
Series TrenchFET®
ProductStatus Obsolete
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 60A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 7.4mOhm @ 19.8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4.4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 77 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 3100 pF @ 30 V
PowerDissipation(Max) 5.2W (Ta), 125W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage 10-PolarPAK® (L)

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