SIHS90N65E-E3

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SIHS90N65E-E3

MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247

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  • Fr. Teil #SIHS90N65E-E3
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Spezifikationen

Supplier Vishay Siliconix
Package Tube
ProductStatus Obsolete
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 650 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 87A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 29mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 591 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 11826 pF @ 100 V
PowerDissipation(Max) 625W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage SUPER-247™ (TO-274AA)

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