SISS05DN-T1-GE3

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SISS05DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 29.4A/108A PPAK

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Spezifikationen

Series TrenchFET® Gen IV
Part Status Active
Base Product Number SISS05
FET Type P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 29.4A (Ta), 108A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 115 nC @ 10 V
Vgs (Max) +16V, -20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4930 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max) 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8S
Package PowerPAK® 1212-8S
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)

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