SIZ270DT-T1-GE3

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SIZ270DT-T1-GE3

DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFE

  • HerstellerVishay Siliconix
  • Fr. Teil #SIZ270DT-T1-GE3
  • Paket PowerWDFN-8
  • Datenblatt
  • Auf Lager3525

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Spezifikationen

Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series TrenchFET® Gen IV
ProductStatus Active
FETType 2 N-Channel (Dual)
FETFeature Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss) 100V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 7.1A (Ta), 19.5A (Tc), 6.9A (Ta), 19.1A (Tc)
RdsOn(Max)@IdVgs 37.7mOhm @ 7A, 10V, 39.4mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2.4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 27nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 860pF @ 50V, 845pF @ 50V
Power-Max 4.3W (Ta), 33W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
Package/Case 8-PowerWDFN

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