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SIZ340ADT-T1-GE3
DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
- HerstellerVishay Siliconix
- Fr. Teil #SIZ340ADT-T1-GE3
- Paket PowerWDFN-8
- Datenblatt SIZ340ADT-T1-GE3 DataSheet
- Auf Lager5147
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Spezifikationen
Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
Series | TrenchFET® |
ProductStatus | Active |
FETType | 2 N-Channel (Dual) |
FETFeature | Standard |
DraintoSourceVoltage(Vdss) | 30V |
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 15.7A (Ta), 33.4A (Tc), 25.4A (Ta), 69.7A (Tc) |
RdsOn(Max)@IdVgs | 9.4mOhm @ 10A, 10V, 4.29mOhm @ 20A, 10V |
Vgs(th)(Max)@Id | 2.4V @ 250µA |
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 12.2nC @ 10V, 27.9nC @ 10V |
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 580pF @ 15V, 1290pF @ 15V |
Power-Max | 3.7W (Ta), 16.7W (Tc), 4.2W (Ta), 31W (Tc) |
OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
MountingType | Surface Mount |
Package/Case | 8-PowerWDFN |
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