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SIZ980BDT-T1-GE3

MOSFET DUAL N-CH 30V PPAIR 6 X 5

+BOM RFQ

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Spezifikationen

Package	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series	TrenchFET® Gen IV
ProductStatus	Active
FETType	2 N-Channel (Dual), Schottky
FETFeature	Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss)	30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 54.3A (Ta), 197A (Tc)
RdsOn(Max)@IdVgs	4.39mOhm @ 15A, 10V, 1.06mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id	2.2V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	18nC @ 10V, 79nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	790pF @ 15V, 3655pF @ 15V
Power-Max	3.8W (Ta), 20W (Tc), 5W (Ta), 66W (Tc)
OperatingTemperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType	Surface Mount
Package/Case	8-PowerWDFN

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