SIZ998BDT-T1-GE3

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SIZ998BDT-T1-GE3

DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

  • Hersteller
  • Fr. Teil #SIZ998BDT-T1-GE3
  • Paket 8-PowerWDFN
  • Datenblatt
  • Auf Lager2657

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Spezifikationen

Supplier Vishay Siliconix
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series TrenchFET® Gen IV
ProductStatus Active
FETType 2 N-Channel (Dual), Schottky
FETFeature Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 36.2A (Ta), 94.6A (Tc)
RdsOn(Max)@IdVgs 4.39mOhm @ 15A, 10V, 2.4mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2.2V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 18nC @ 10V, 46.7nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 790pF @ 15V, 2130pF @ 15V
Power-Max 3.8W (Ta), 20W (Tc), 4.8W (Ta), 32.9W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
Package/Case 8-PowerWDFN

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