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SIZF906BDT-T1-GE3

DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET

+BOM RFQ

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Spezifikationen

Package	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series	TrenchFET® Gen IV
ProductStatus	Active
FETType	2 N-Channel (Dual), Schottky
FETFeature	Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss)	30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	36A (Ta), 105A (Tc), 63A (Ta), 257A (Tc)
RdsOn(Max)@IdVgs	2.1mOhm @ 15A, 10V, 680µOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id	2.2V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	49nC @ 10V, 165nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	1630pF @ 15V, 5550pF @ 15V
Power-Max	4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
OperatingTemperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType	Surface Mount
Package/Case	8-PowerWDFN

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