SPB03N60C3ATMA1

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SPB03N60C3ATMA1

MOSFET N-CH 650V 3.2A TO263-3

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  • Fr. Teil #SPB03N60C3ATMA1
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Spezifikationen

Supplier Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk
Series CoolMOS™
ProductStatus Obsolete
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 650 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 3.2A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 1.4Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 3.9V @ 135µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 17 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 400 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 38W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage PG-TO263-3-2

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