SSM3K35MFV,L3F

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SSM3K35MFV,L3F

MOSFET N-CH 20V 180MA VESM

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  • Fr. Teil #SSM3K35MFV,L3F
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Spezifikationen

Supplier Toshiba Semiconductor and Storage
Package Tape & Reel (TR)
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 180mA (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 1.2V, 4V
RdsOn(Max)@IdVgs 3Ohm @ 50mA, 4V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 1mA
Vgs(Max) ±10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 9.5 pF @ 3 V
PowerDissipation(Max) 150mW (Ta)
OperatingTemperature 150°C
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage VESM

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