SSM6N55NU,LF

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SSM6N55NU,LF

MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6

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Spezifikationen

Supplier Toshiba Semiconductor and Storage
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
ProductStatus Active
FETType 2 N-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 4A
RdsOn(Max)@IdVgs 46mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2.5V @ 100µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 2.5nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 280pF @ 15V
Power-Max 1W
OperatingTemperature 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
Package/Case 6-WDFN Exposed Pad

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