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SSM6N813R,LXHF
AUTO AEC-Q SS MOS DUAL N-CH LOW
- HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
- Fr. Teil #SSM6N813R,LXHF
- Paket TSOP6F
- Datenblatt SSM6N813R,LXHF DataSheet
- Auf Lager4821
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Spezifikationen
Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
ProductStatus | Active |
FETType | 2 N-Channel (Dual) |
FETFeature | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
DraintoSourceVoltage(Vdss) | 100V |
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 3.5A (Ta) |
RdsOn(Max)@IdVgs | 112mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs(th)(Max)@Id | 2.5V @ 100µA |
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 3.6nC @ 4.5V |
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 242pF @ 15V |
Power-Max | 1.5W (Ta) |
OperatingTemperature | 175°C |
MountingType | Surface Mount |
Package/Case | 6-SMD, Flat Leads |
Versand
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