STD10NM65N

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STD10NM65N

MOSFET N-CH 650V 9A DPAK

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  • Fr. Teil #STD10NM65N
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Spezifikationen

Supplier STMicroelectronics
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series MDmesh™ II
ProductStatus Obsolete
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 650 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 9A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 480mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 25 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±25V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 850 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max) 90W (Tc)
OperatingTemperature 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage DPAK

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