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STD25N10F7
MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
- HerstellerSTMicroelectronics
- Fr. Teil #STD25N10F7
- Paket
- Datenblatt STD25N10F7 DataSheet
- Auf Lager22842
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Spezifikationen
Series | DeepGATE™, STripFET™ VII |
Part Status | Active |
FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 12.5A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 920 pF @ 50 V |
Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Supplier Device Package | DPAK |
Package / Case | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |
Base Product Number | STD25 |
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