STH180N4F6-2

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STH180N4F6-2

MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2

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  • Fr. Teil #STH180N4F6-2
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Spezifikationen

Supplier STMicroelectronics
Package Tape & Reel (TR)
Series STripFET™ F6
ProductStatus Obsolete
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 40 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 120A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 2.4mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 130 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 7735 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 190W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage H2Pak-2

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