STI6N80K5

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STI6N80K5

MOSFET N-CH 800V 4.5A I2PAK

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  • Fr. Teil #STI6N80K5
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Spezifikationen

Supplier STMicroelectronics
Package Tube
Series SuperMESH5™
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 800 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 4.5A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 1.6Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 5V @ 100µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 7.5 nC @ 10 V
Vgs(Max) 30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 255 pF @ 100 V
PowerDissipation(Max) 85W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage I2PAK (TO-262)

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