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STP12N120K5

MOSFET N-CH 1200V 12A TO220

+BOM RFQ

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Spezifikationen

Series	MDmesh™ K5
Part Status	Active
FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	690mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	44.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1370 pF @ 100 V
Power Dissipation (Max)	250W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole
Supplier Device Package	TO-220
Package / Case	TO-220-3
Base Product Number	STP12

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