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STPSC10H065GY-TR
DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
- HerstellerSTMicroelectronics
- Fr. Teil #STPSC10H065GY-TR
- Paket
- Datenblatt STPSC10H065GY-TR DataSheet
- Auf Lager8402
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Spezifikationen
Part Status | Active |
Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
Current - Average Rectified (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.75 V @ 10 A |
Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 µA @ 650 V |
Capacitance @ Vr, F | 480pF @ 0V, 1MHz |
Grade | Automotive |
Qualification | AEC-Q101 |
Mounting Type | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | D2PAK |
Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 175°C |
Base Product Number | STPSC10 |
Versand
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