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STS10DN3LH5
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
- HerstellerSTMicroelectronics
- Fr. Teil #STS10DN3LH5
- Paket SO-8
- Datenblatt STS10DN3LH5 DataSheet
- Auf Lager2593
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Spezifikationen
Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
Series | STripFET™ V |
ProductStatus | Not For New Designs |
FETType | 2 N-Channel (Dual) |
FETFeature | Logic Level Gate |
DraintoSourceVoltage(Vdss) | 30V |
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 10A |
RdsOn(Max)@IdVgs | 21mOhm @ 5A, 10V |
Vgs(th)(Max)@Id | 1V @ 250µA |
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 4.6nC @ 5V |
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 475pF @ 25V |
Power-Max | 2.5W |
OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
MountingType | Surface Mount |
Package/Case | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Versand
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