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STU2N62K3
MOSFET N-CH 620V 2.2A IPAK
- HerstellerSTMicroelectronics
- Fr. Teil #STU2N62K3
- Paket
- Datenblatt STU2N62K3 DataSheet
- Auf Lager20045
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Spezifikationen
Series | SuperMESH3™ |
Part Status | Active |
FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 620 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6Ohm @ 1.1A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
Vgs (Max) | ±30V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 340 pF @ 50 V |
Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-251 (IPAK) |
Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA |
Base Product Number | STU2N62 |
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