SUM110N04-2M1P-E3

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SUM110N04-2M1P-E3

MOSFET N-CH 40V 29A/110A TO263

  • Hersteller
  • Fr. Teil #SUM110N04-2M1P-E3
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Spezifikationen

Supplier Vishay Siliconix
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series TrenchFET®
ProductStatus Obsolete
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 40 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 29A (Ta), 110A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 2.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 360 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 18800 pF @ 20 V
PowerDissipation(Max) 3.13W (Ta), 312W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage TO-263 (D²Pak)

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