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SVF23N50PN
- HerstellerHangzhou Silan Microelectronics
- Fr. Teil #SVF23N50PN
- Paket
- Datenblatt SVF23N50PN DataSheet
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Spezifikationen
| Manufacturer | Hangzhou Silan Microelectronics |
| Package | TO-3P-3 |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Current - Continuous Drain(Id) | 23A |
| Pd - Power Dissipation | 280W |
| Drain to Source Voltage | 500V |
| RDS(on) | 210mΩ@10V,11.5A |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2V |
| Type | 1 N-channel |
| Gate Charge(Qg) | 42.51nC@10V |
| Input Capacitance(Ciss@Vds) | 2595.8pF@25V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 10.1pF@25V |
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