SVF4N60F

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SVF4N60F

  • HerstellerHangzhou Silan Microelectronics
  • Fr. Teil #SVF4N60F
  • Paket
  • Datenblatt SVF4N60F DataSheet
  • Auf Lager9707

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Spezifikationen

Manufacturer Hangzhou Silan Microelectronics
Package TO-220F-3
Operating Temperature -55℃~+150℃
Current - Continuous Drain(Id) 4A
Drain to Source Voltage 600V
RDS(on) 2Ω@10V,2A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 2V
Type 1 N-channel
Gate Charge(Qg) 8.16nC
Input Capacitance(Ciss@Vds) 461pF@25V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) 1.47pF@25V

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