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TC6320K6-G

MOSFET N/P-CH 200V 8DFN

+BOM RFQ

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Spezifikationen

Part Status	Active
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Configuration	N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	110pF @ 25V, 125pF @ 25V
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-VDFN Exposed Pad
Supplier Device Package	8-DFN (4x4)
Base Product Number	TC6320
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7Ohm @ 1A, 10V

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