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TC8220K6-G

MOSFET 2N/2P-CH 200V 12DFN

+BOM RFQ

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Spezifikationen

Part Status	Active
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Configuration	2 N and 2 P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	56pF @ 25V, 75pF @ 25V
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	12-VFDFN Exposed Pad
Supplier Device Package	12-DFN (4x4)
Base Product Number	TC8220
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6Ohm @ 1A, 10V

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