TK065Z65Z,S1F

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TK065Z65Z,S1F

POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247-4

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  • Fr. Teil #TK065Z65Z,S1F
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Spezifikationen

Supplier Toshiba Semiconductor and Storage
Package Tube
Series DTMOSVI
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 650 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 38A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 65mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 1.69mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 62 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 3650 pF @ 300 V
PowerDissipation(Max) 270W (Tc)
OperatingTemperature 150°C
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-247-4L(T)

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