TK20C60W,S1VQ

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TK20C60W,S1VQ

MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK

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  • Fr. Teil #TK20C60W,S1VQ
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Spezifikationen

Supplier Toshiba Semiconductor and Storage
Package Tube
Series DTMOSIV
ProductStatus Obsolete
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 600 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 20A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 155mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 3.7V @ 1mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 48 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1680 pF @ 300 V
PowerDissipation(Max) 165W (Tc)
OperatingTemperature 150°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage I2PAK

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