TK31V60W,LVQ

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TK31V60W,LVQ

MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN

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  • Fr. Teil #TK31V60W,LVQ
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Spezifikationen

Supplier Toshiba Semiconductor and Storage
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series DTMOSIV
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 600 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 30.8A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 98mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 3.7V @ 1.5mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 86 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 3000 pF @ 300 V
FETFeature Super Junction
PowerDissipation(Max) 240W (Tc)
OperatingTemperature 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage 4-DFN-EP (8x8)

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