TK35A08N1,S4X

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TK35A08N1,S4X

MOSFET N-CH 80V 35A TO220SIS

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  • Fr. Teil #TK35A08N1,S4X
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Spezifikationen

Supplier Toshiba Semiconductor and Storage
Package Tube
Series U-MOSVIII-H
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 80 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 35A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 12.2mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 300µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 25 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1700 pF @ 40 V
PowerDissipation(Max) 30W (Tc)
OperatingTemperature 150°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-220SIS

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