TK4P55DA(T6RSS-Q)

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TK4P55DA(T6RSS-Q)

MOSFET N-CH 550V 3.5A DPAK

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  • Fr. Teil #TK4P55DA(T6RSS-Q)
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Spezifikationen

Supplier Toshiba Semiconductor and Storage
Package Tape & Reel (TR)
Series π-MOSVII
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 550 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 3.5A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 2.45Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4.4V @ 1mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 9 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 380 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 80W (Tc)
OperatingTemperature 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage D-Pak

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