TK6R8A08QM,S4X

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TK6R8A08QM,S4X

UMOS10 TO-220SIS 80V 6.8MOHM

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  • Fr. Teil #TK6R8A08QM,S4X
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Spezifikationen

Supplier Toshiba Semiconductor and Storage
Package Tube
Series U-MOSX-H
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 80 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 58A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 6V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 6.8mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 3.5V @ 500µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 39 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 2700 pF @ 40 V
PowerDissipation(Max) 41W (Tc)
OperatingTemperature 175°C
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-220SIS

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