TN0110N3-G

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TN0110N3-G

MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3

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  • Fr. Teil #TN0110N3-G
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Spezifikationen

Supplier Microchip Technology
Package Bag
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 350mA (Tj)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2V @ 500µA
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 60 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 1W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-92-3

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