TP0620N3-G

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TP0620N3-G

MOSFET P-CH 200V 175MA TO92-3

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Spezifikationen

Supplier Microchip Technology
Package Bag
ProductStatus Active
FETType P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 175mA (Tj)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 12Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2.4V @ 1mA
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 150 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 1W (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-92-3

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