TP65H015G5WS

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TP65H015G5WS

650 V 95 A GAN FET

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  • Fr. Teil #TP65H015G5WS
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Spezifikationen

Supplier Transphorm
Package Tube
Series SuperGaN™
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology GaNFET (Gallium Nitride)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 650 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 93A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 18mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4.8V @ 2mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 100 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 5218 pF @ 400 V
PowerDissipation(Max) 266W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-247-3

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