TP65H035WSQA

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TP65H035WSQA

GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3

  • Hersteller
  • Fr. Teil #TP65H035WSQA
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Spezifikationen

Supplier Transphorm
Package Tube
Series Automotive, AEC-Q101
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 650 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 47.2A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 41mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4.5V @ 1mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 24 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1500 pF @ 400 V
PowerDissipation(Max) 187W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-247-3

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