TPCC8008(TE12L,QM)

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TPCC8008(TE12L,QM)

MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON

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Spezifikationen

Supplier Toshiba Semiconductor and Storage
Package Cut Tape (CT)
Series U-MOSIV
ProductStatus Obsolete
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 25A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 6.8mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2.5V @ 1A
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 30 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±25V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1600 pF @ 10 V
PowerDissipation(Max) 700mW (Ta), 30W (Tc)
OperatingTemperature 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage 8-TSON Advance (3.3x3.3)

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