TPCF8A01(TE85L)

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TPCF8A01(TE85L)

MOSFET N-CH 20V 3A VS-8

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  • Fr. Teil #TPCF8A01(TE85L)
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Spezifikationen

Supplier Toshiba Semiconductor and Storage
Package Tape & Reel (TR)
Series U-MOSIII
ProductStatus Obsolete
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 3A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 2V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs 49mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1.2V @ 200µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 7.5 nC @ 5 V
Vgs(Max) ±12V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 590 pF @ 10 V
FETFeature Schottky Diode (Isolated)
PowerDissipation(Max) 330mW (Ta)
OperatingTemperature 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage VS-8 (2.9x1.5)

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