TPD3215M

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TPD3215M

GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE

  • HerstellerTransphorm
  • Fr. Teil #TPD3215M
  • Paket Module
  • Datenblatt
  • Auf Lager16

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Spezifikationen

Package Bulk
ProductStatus Obsolete
FETType 2 N-Channel (Half Bridge)
FETFeature GaNFET (Gallium Nitride)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 600V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 70A (Tc)
RdsOn(Max)@IdVgs 34mOhm @ 30A, 8V
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 28nC @ 8V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 2260pF @ 100V
Power-Max 470W
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole
Package/Case Module

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